退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘鹏; 张丹;
陕西师范大学物理学与信息技术学院,西安,710062;
反铁电陶瓷; 介电频率色散; 相变弥散; 介电弛豫;
机译:成分分级的Pb(1-3x / 2)LaxZr0.85Ti0.15O3反铁电厚膜的增强的储能性能和电热效应
机译:Pb _((1-3x / 2))2)La_xZr_(0.85)Ti_(0.15)O3反铁电厚膜的储能性能和电热效应
机译:(Pb,La)(Zr,Ti)O3 sub>反铁电厚膜中不同温度下电场诱导的反铁电到铁电和铁电到顺电的相变
机译:反铁电液晶MOPB(H)PBC中介电弛豫的不同模式研究
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:Y2O3涂层(Pb0.92Sr0.05La0.02)(Zr0.7Sn0.25Ti0.05)O3陶瓷中的类似反铁电性及其储能性能
机译:成分分级的Pb(1-3x / 2)LaxZr0.85Ti0.15O3反铁电厚膜中增强的储能性能和电热效应
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:PbTiO3或Pb(ZrTi)O3的铁电薄膜单晶的制造方法
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。