首页> 中文期刊> 《物理学报》 >一维反铁磁光子晶体光学双稳态效应研究

一维反铁磁光子晶体光学双稳态效应研究

         

摘要

Based on the transfer matrix method and the principle of light localization,the optical bi stability(OB) changing with magnetic field strength,incident angle and dielectric layer are investigated in an one-dimensional antiferromagnetic photonic crystal near the resonant frequencies.We find that the OBs can be observed near the two resonant frequencies at a smaller incident angle,but they disappear near the higher resonant frequencies at a bigger incident angle when the magnetic field strength is 1.0 kG.However,once the external magnetic field strength increases up to 2.0 kG,the lost OB will be induced due to the the two resonant frequencies shifting towards two sides.In addition,the dielectric layers also have a greater influence on OB near the lower resonant frequencies at a smaller incident angle.%基于传递矩阵方法和光局域化原理,本文研究了一维反铁磁光子晶体共振频率附近光学双稳态效应随电磁波入射角、外磁场强度及电介质层数的变化.研究发现,当外磁场为1.0 kG(1 G=10~(-4)T)、电磁波小角度入射时,反铁磁材料高低共振频率附近均可探测到光学双稳态效应;当电磁波大角度入射时,仅在高共振频率附近探测到光学双稳态效应.然而,当外磁场强度增加到2.0 kG时,由于反铁磁材料的高低共振频率向两侧移动,低共振频率附近缺失的光学双稳态频率窗口又被有效激发.此外,电磁波小角度入射时,电介质层数在低共振频率附近对双稳态效应影响较明显.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2012年第15期|446-453|共8页
  • 作者单位

    哈尔滨师范大学光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,物理与电子工程学院低维体系与介观物理实验室,哈尔滨150025;

    哈尔滨师范大学光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,物理与电子工程学院低维体系与介观物理实验室,哈尔滨150025;

    哈尔滨师范大学光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,物理与电子工程学院低维体系与介观物理实验室,哈尔滨150025;

    哈尔滨师范大学光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,物理与电子工程学院低维体系与介观物理实验室,哈尔滨150025;

    哈尔滨师范大学光电带隙材料省部共建教育部重点实验室,物理与电子工程学院低维体系与介观物理实验室,哈尔滨150025;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 非线性光学(强光与物质的作用);
  • 关键词

    反铁磁光子晶体; 光学双稳态效应; 三阶非线性效应;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号