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La掺杂BaSnO_(3)薄膜的低温电输运性质

         

摘要

利用射频磁控溅射技术在MgO(001)单晶基片上沉积了一系列Ba0.94La0.06SnO_(3)薄膜,并对薄膜的结构和电输运性质进行了系统研究.所有薄膜均表现出简并半导体(金属)导电特性:在T>Tmin的高温区(Tmin为电阻最小值对应的温度),薄膜的电阻率随温度的升高而升高,并且与温度的平方呈线性关系.在T

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