双势垒结构Cu-Al_2O_3-MgF_2-Au隧道结中的电子共振隧穿与发光特性研究

摘要

制备了ＣｕＡｌ２Ｏ３ＭｇＦ２Ａｕ双势垒隧道发光结，分析了结加上一定偏压后的电子隧穿过程．指出由于构成隧道结的绝缘栅薄膜的厚度及禁带宽度的不同而导致双势垒中能级产生分裂，使电子通过栅区时产生共振隧穿现象．根据这一现象，并结合结的ＩＶ特性，对结的发光性能进行了讨论．这种结构的结与普通单势垒ＭＩＭ结相比，其发光效率（１０－６—１０－５）提高了近一个数量级，且发光光谱的波长范围及谱峰均向短波长方向移动。