CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电特性与弛豫机理

摘要

本文采用Novocontrol宽频介电谱仪在100℃—100℃温度范围内、0.1Hz—10MHz频率范围内测量了表面层打磨前后CaCu3Ti4O12陶瓷的介电特性,分析了CaCu3Ti4O12陶瓷的介电弛豫机理.首先,基于对宏观"壳-心"结构的定量分析,排除了巨介电常数起源于表面层效应的可能性;其次,基于经典Maxwell-Wagner夹层极化及其活化能物理本质的分析,排除了巨介电常数起源于经典Maxwell-Wagner极化的可能性;最后,依据晶界Schottky势垒与本征点缺陷的本质联系,提出了巨介电常数起源于Schottky势垒边界陷阱电子弛豫的新机理.陷阱电子弛豫机理反映了CaCu3Ti4O12陶瓷本征点缺陷、电导、介电常数之间的本质关系.