原子无序起伏对C_(60)的影响

摘要

用高斯型分布的独立无规参数模拟起因于热涨落等原因的格点原子无序起伏，并用对大量彼此独立的原子无序起伏方式采样取平均的方法，研究了原子无序起伏对光激发和电子转移Ｃ６０的键长和格点电子密度分布的影响．得到了Ｃ６０中键长和格点电子密度相对于原子无序起伏强度、额外电荷数目和种类的分布曲线．发现：１）在Ｃ６０的长、短键之差等于０００４４ｎｍ，格点原子无序起伏强度为０—００１ｎｍ时，Ｃ６０中的二聚化结构仍然存在．２）在格点原子无序起伏强度为０—０００７７５ｎｍ时，Ｃ±６０和Ｃ２－６０的极化子存在；在原子无序起伏强度为０—０００５４８ｎｍ时，Ｃ－６０。