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一维随机成核生长模型

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建立了一种一维随机成核生长模型，在三种不同的近邻条件下进行模拟，得到了一系列聚集生长图形，并计算了相应的分形维数．所得图形与多孔硅形成图样相似．

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来源
《物理学报》 |1996年第12期|1960-1969|共10页
作者
吴锋民; 王衍; 吴自勤;
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作者单位

浙江工业大学;

中国科学技术大学基础物理中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
薄膜生长; 随机成核;

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