低能N+离子束注入香瓜种子引起的变异及后代基因组的RAPD分析

摘要

用低能N+离子束对香瓜种子进行不同能量和剂量组合的处理.从各处理组与对照组当代和第三代苗期形态特征观察、考种中发现:在一定能量和剂量组合下,处理组香瓜叶型和果肉厚度发生了明显的变化,这种形态学变化是可遗传的.应用随机引物扩增多态性 DNA (Random amplified polymorphic DNA即RAPD) 技术分析对照组和注入低能N+离子束处理组的香瓜总DNA的结果显示:100种随机引物中的24种引物扩增出44条多态性片段,且其中一种引物所扩增的条带与叶型变化相连锁.表明低能N+注入香瓜种子可引起其基因组DNA发生变异,一定注入剂量和能量的组合,可导致特异性的变异.