悬浮泥沙对亚洲苦草幼苗生长发育的影响

摘要

将亚洲苦草(Vallisneria asiatica Miki L.)幼苗植株种植于浊度分别为30NTU、60NTU和90NTU的悬浮泥沙水体中,统计各处理苦草幼苗的生长发育状况,并使用水下饱和脉冲叶绿素荧光仪(DIVING-PAM)测定PSⅡ最大量子产量(Fv/Fm)、实际光化学效率(Yield)、光化学荧光淬灭系数(qP)、非光化学荧光淬灭系数(qN)、表观电子传递效率(ETR)以及快速光响应曲线.结果表明,实验第5天,悬浮泥沙对于苦草幼苗的存活、生长发育及光合作用影响不显著(p》0.05),苦草幼苗在低光胁迫下通过增加热耗散以保护PSⅡ.30d后,悬浮泥沙对于苦草幼苗的存活、生长发育及光合作用影响显著(p＜0.05),30NTU组苦草幼苗生长发育虽明显受到抑制,但仍能保持一定的存活率;而泥沙浊度为60NTU和90NTU时则完全不利于苦草幼苗存活.30NTU、60NTU、90NTU组的Fv/Fm值、Yield值、qp值、最大ETR均显著低于对照(p＜0.05),30NTU组最小饱和光强为176μmol quanta/m2·s.而60NTU、90NTU组则只有17μmolquanta/m2·s,远低于对照组的248/μmol quanta/m2·s.