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陈文振; 杨强生;
上海交通大学动力与能源工程学院,上海200030;
接触熔化; 相变; 基本方程;
机译:在加热的水平板上的紧密接触熔化传热:在存在纳米增强相变材料(NePCM)的情况下重新研究
机译:△T驱动水平相变材料在圆柱周围的接触熔化分析
机译:水平圆柱环空中相变材料自由对流主导熔化的被动增强技术
机译:在工作流体的水平椭圆管中熔化相变材料的熔化
机译:部分填充球壳中相变材料熔化过程的数值和实验研究
机译:结合激光熔化和高速X射线衍射的增材制造条件下Ti-6Al-4V中相变的原位研究
机译:非均匀传热系数对水平圆柱体相变材料熔化的影响
机译:沉水平板同时熔化和冻结的结壳行为
机译:相变存储单元包括相变材料图案,该相变材料图案设置在下层间电介质层上以接触下导电塞
机译:相变存储器装置,即相变RAM,制造方法,涉及将相变材料加热到足以熔化开口中的材料的温度,以及构造材料以限定开口中的相变元素。
机译:包括多级单元的相变存储器及其制造方法,该方法能够改变不同电流水平下的相变材料层的相
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