在大注入下多晶硅发射极晶体管特性模拟与理论分析

摘要

本文利用经适当修改的Ｙｉｈ－Ｆｅｎｇ Ｃｈｙａｎ等人的ＰＥＴ大注入模型编制了程序，结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的ＰＥＴ的输入特性，输出特性，电流增益和频率特性，并对一些特性曲线进行了分析，此程序可用于研究ＰＥＴ特性与器件结构参数之间的关系。