锑对在硫酸溶液中形成的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的半导体性质的影响——Ⅲ.交流阻抗法研究阳极Sb_2O_3膜

摘要

应用交流阻抗方法研究锑在0.05mol.dm^(-3)H_2SO_4十0.5mol.dm^(-3)Na_2SO_4溶液(30℃)中以0.9V(vs.Hg/Hg_2SO_4/0.05mol. dm^(-3)H_2SO_4)生长3h的阳极Sb_2O_3膜的半导体性质.从Mott-Schottky曲线可知,此膜为n型半导体,平带电位为-0.34V(vs.Hg/Hg_2SO_4/0.05mol.dm^(-3)H_2SO_4),施主密度为4.0×10^(19)cm^(-3).讨论了锑增加铅锑合金阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜施主密度的原因.