钴氢氧化物修饰玻碳电极的镀膜/循环伏安法制备及其电化学行为

摘要

采用一种新方法镀膜/循环伏安法成功制备了钴氢氧化物修饰玻碳电极.考察了影响钴氢氧化物膜电催化活性的因素,确定最佳富集时间为2 min,最佳活性单元浓度为9.90×10-4mol·L-1.讨论了成膜过程及机理.膜氧化峰电流(i0pa)与扫描速率(v＜0.60 V·s-1)成正比,具有表面吸附反应特征,表面覆盖量约相当于0.5个单层的氧化还原活性物质.制得的钴氢氧化物膜修饰电极具有相当的稳定性,并对H2O2氧化表现出较高的电催化活性.线性回归方程为:△ipa(μA)=-2.1036+2.3720×104CH2O2(mol·L-1)(R=0.9990,n=18),线性范围为:1.43×10-5～1.80×10-2mol·L-1,检出限为:9.59×10-6mol·L-1(3S/k).