利用电化学刻蚀工艺制备p型硅基大孔深通道阵列

摘要

在自制的三极电解槽中,采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的p型硅基上,研究了大孔深通道阵列的形成过程.通过一系列实验、电化学测试与分析,从理论上论述了P型大孔深通道阵列的形成微观机制,同时解释了电化学刻蚀反应与HF浓度的关系,指出了HF浓度决定电化学反应刻蚀的进行与否与样品质量的关键.提供了一种利用电化学刻蚀工艺制备P型大孔深通道阵列经济实用的方法.实验结果对其形成具有指导意义.