The Australian National University (Australia).;
机译:使用金属有机气相外延法进行基于位置控制的氮化铟基纳米结构的生长
机译:金属有机气相外延论证二丁基丁基硫作为n型InP的掺杂源
机译:金属有机气相外延法在GaAs /(111)Si异质衬底上合成垂直取向的GaAs纳米线
机译:使用新型P源二叔丁基膦(DitBuPH)的InP的金属有机气相外延
机译:金属有机气相外延生长ZnO的电学性质。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:硅作为Gasb中的p型掺杂剂和Ga {sub 0.8} In {sub 0.2} sb通过金属有机气相外延生长
机译:硅作为Gasb中的p型掺杂剂和Ga(sub 0.8)In(sub 0.2)sb通过金属有机气相外延生长