University of California Riverside.;
机译:低k铜互连中随时间变化的介电击穿:机理和可靠性模型
机译:基于覆盖误差模型的Cu / Low-k互连中时变介电击穿寿命分布统计分析
机译:薄SiO_2和氮氧化物氧化物介电体随时间的介电击穿可靠性预测的新经验外推方法
机译:应力条件下互连介电寿命的建模和随时间变化的介电击穿的新外推方法
机译:纳米VLSI电路的基于物理的电迁移和时变介电击穿建模以及可靠性分析。
机译:铜低k互连中随时间变化的介电击穿:机理和可靠性模型
机译:铜低k互连中与时间相关的介电击穿:机制和可靠性模型