The University of Texas at Arlington.;
机译:Si(001)上氧化物生长初期硅氧化通道对表面电子分布的依赖性
机译:具有0°和6°斜角的硅(001)上锗外延膜的生长和表征的比较研究
机译:勘误至:具有0°和6°斜角的硅(001)上锗外延膜的生长和表征的比较研究
机译:H_2预处理对硅上自组装锗岛的形核和生长的影响(001)
机译:硅(001)表面和图案化硅(001)表面上的锗纳米点的硅/锗异质结构的生长和表征。
机译:Ge(001)表面热诱导自组装过程中六角形金纳米结构的受控生长
机译:在高生长速率LpCVD期间硅(001)上自组装锗岛的结构和组成演化
机译:si(001)上生长的初始阶段和CaF2纳米结构的形成。