High-k gate stack on compound semiconductor channel materials for low power, high performance digital logic applications

著录项

• 作者

  Kambhampati, Rama K.;

  展开▼
• 作者单位

  State University of New York at Albany;

  展开▼
• 授予单位 State University of New York at Albany;
• 学科
• 学位 Ph.D.
• 年度 2011
• 页码 166 p.
• 总页数 166
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 AAI3457020;
• 关键词

  Compound semiconductors; Digital logics; Gaas; High-k gate stack; Ingaas; Mosfet; Semiconductor channel;

  机译：复合半导体;数字逻辑;GaAs;高k门堆;Ingaas;MOSFET;半导体通道;