Fundamental Studies of Supported Graphene Interfaces: Defect Density of States in Graphene Field Effect Transistors (FETs) and Ideal Graphene - Silicon Schottky Diodes

著录项

• 作者

  Sinha, Dhiraj P.;

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• 作者单位

  State University of New York at Albany;

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• 授予单位 State University of New York at Albany;
• 学科
• 学位 Ph.D.
• 年度 2014
• 页码 133 p.
• 总页数 133
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 AAI3644193;
• 关键词

  Disorder density of states; Graphene; Ideal schottky diode; Interfaces; Landauer transport formalism;

  机译：州的紊乱密度;石墨烯;理想的肖特基二极管;界面;Landauer运输形式主义;