Illinois Institute of Technology;
机译:采用65nm CMOS技术的600kHz至1.2GHz全数字延迟锁定环路
机译:基于65 nm CMOS工艺的具有时序偏移自校准的快速锁定延迟锁定环的设计
机译:基于环形VCO的注入锁定倍频器,采用65 nm CMOS新型脉冲产生技术
机译:10.7在65nm CMOS中使用全数字连续频率跟踪环路的6.75至8.25GHz 2.25mW 190fs
机译:采用0.18微米CMOS的26 GHz锁相环倍频器。
机译:具有可调范围CMOS延迟锁定环路的亚皮秒抖动设计适用于高速和低功耗应用
机译:基于Bang-Bang数码密集型频率锁定循环的33 ppm /°C 240-NM 40-NM CMOS唤醒定时器,用于IOT应用