Northwestern University;
机译:980 nm无铝InGaAs / InGaAsP / InGaP GRIN-SCH SL-QW激光器
机译:0.98μmInGaAs-InGaAsP-InGaP GRIN-SCH SL-SQW激光器,用于将高光功率耦合到单模光纤中
机译:高CW输出功率和“壁挂式”效率无铝InGaAs / InGaAsP / InGaP双量子阱二极管激光器
机译:具有InGaAsP过渡层的无铝InGaAs / GaAs / InGaP应变量子阱激光器
机译:导波光学中的主题:单波长蚀刻耦合腔铟镓-砷磷/铟磷半导体激光器的发射功率为1.3微米,大功率半导体激光阵列的发射率和入射角为三角形。
机译:使用低功率激光的亚微米尺度的荧光银纳米团簇图案
机译:高连续波输出功率InGaas / InGaasp / InGap二极管激光器:衬底误取向的影响
机译:高功率InGaasp / Gaas(λ= 0.8微米)激光器的阈值电流密度Jth和微分效率Nd的温度依赖性