University of Washington;
机译:改善AlN原位氮气掺杂石墨烯的核切割,用于GaN Quasi-Van der Waals外延
机译:石墨烯缓冲层上高质量p掺杂SnS van der Waals外延的分子束外延生长
机译:石墨烯缓冲层上高质量p掺杂SnS van der Waals外延的分子束外延生长
机译:使用石墨烯缓冲层的范德华外延MBE生长
机译:Ulthath早期过渡金属(Ti&V)(DI)硒化合物的范围(DI):超薄极限中的电荷和磁场
机译:过渡金属二卤化物原子成核-生长过程的范德华外延动力学蒙特卡罗模拟方法
机译:错误:“改善了AlN in原位氮气掺杂石墨烯的核,用于GaN Quasi-Van der Waals外延”Appl。物理。吧。 117,051601(2020)