State University of New York at Stony Brook;
机译:Czochralski法模拟超声对Ga_xIn_(1-x)Sb和Si单晶生长的熔体对流的影响
机译:横向磁场应用切克劳斯基方法分析晶体生长过程中硅熔体-晶体界面处杂质的局部偏析
机译:通过使用电磁切克劳斯基方法(EMCZ)对Si晶体生长过程中的晶体熔体界面形状进行大幅度修改
机译:(v08ct09a073)内部辐射的作用或不含熔体夹杂物在Czochralski蓝宝石晶体生长期间
机译:切克劳斯基方法对钇铝石榴石晶体生长过程中热和动量传递的数值分析。
机译:多晶激光3D打印镍基高温合金中延展性开裂引起塑性变形的统计研究
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响