University of South Carolina;
机译:蓝宝石衬底偏角和偏角对基于AlGaN的深紫外发光二极管特性的影响
机译:蓝宝石衬底的偏角和偏向依赖于基于Algan的深紫外发光二极管的特性
机译:在纳米图案蓝宝石衬底上生长的基于AlGaN的深紫外发光二极管具有显着改善的内部量子效率
机译:蓝宝石衬底上基于准伪晶AlGaN的深紫外LED
机译:基于AlGaN合金的紫外线电吸收调制器和发光二极管的开发
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有纳米级厚的Aln成核层对基于Algan的深紫外发光二极管的纳米级厚的Aln成核膜的高质量和无裂缝Aln膜的异质生长