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A low-voltage CMOS imager with wide dynamic range.

机译:具有宽动态范围的低压CMOS成像器。

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摘要

CMOS image sensors offer lower cost and the potential for higher levels of system integration than do charge coupled device (CCD) imager sensors. To take full advantage of this potential for system integration, it will be necessary to migrate imager designs to more advanced CMOS processes, as technology scales. This in turn will require the design of imagers capable of operating with greatly reduced power supply voltages compared to those now commonly in use. Reduction in power supply voltage is known to degrade the dynamic range of conventional imagers.; A CMOS imager designed and fabricated in a 0.18 μm digital CMOS technology operating from a 1.2V power supply is presented in this thesis. The imager uses column parallel, second-order delta-sigma analog-to-digital converters, along with a digital signal processing technique to achieve high dynamic range for this low supply voltage. In experimental tests the imager was shown capable of measuring input light levels ranging over 5 orders of magnitude.
机译:与电荷耦合器件(CCD)成像器传感器相比,CMOS图像传感器具有更低的成本和更高的系统集成潜力。为了充分利用系统集成的潜力,随着技术的发展,有必要将成像器设计迁移到更高级的CMOS工艺。与目前通常使用的成像器相比,这反过来将需要设计能够在大大降低的电源电压下工作的成像器。已知降低电源电压会降低传统成像器的动态范围。本文提出了一种采用0.18μm数字CMOS技术设计和制造的CMOS成像仪,该器件采用1.2V电源供电。该成像器使用列并行,二阶delta-sigma模数转换器以及数字信号处理技术来实现这种低电源电压的高动态范围。在实验测试中,显示该成像仪能够测量超过5个数量级的输入光水平。

著录项

  • 作者

    Fortier, Justin L.;

  • 作者单位

    Carleton University (Canada).;

  • 授予单位 Carleton University (Canada).;
  • 学科 Engineering Electronics and Electrical.
  • 学位 M.Eng.
  • 年度 2002
  • 页码 86 p.
  • 总页数 86
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 无线电电子学、电信技术;
  • 关键词

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