California Institute of Technology.;
机译:在1/5和1/3 Landau填充物附近的二维电子的折返绝缘相中的交流磁传输
机译:朗道能级较高时二维电子可能出现的新气泡相
机译:强垂直磁场中激发的朗道能级对二维电子-空穴系统的影响
机译:在1/5和1/3 Landau填充附近的二维电子的旋入式绝缘阶段的交流磁通量
机译:在硅上最低的朗道能级上测量相关的二维电子(111)。
机译:第二道朗道能级的电子-电子相互作用和成对向向量子相变
机译:激发的Landau水平的二维电子的新阶段
机译:长寿命振动或电子激发水平中燃烧相关物种的减少率。技术进步报告,1981年7月16日至1983年6月30日