Realisation et caracterisation opto-electrique d'un nanopixel a base de nanocristaux de silicium.

摘要

Actuellement, plusieurs types de photodetecteurs sont disponibles sur le marche. Leurs performances se caracterisent notamment par la reponse spectrale, le courant d'obscurite, le rapport signal sur bruit, le rendement quantique et le temps de reponse. L'emergence de nouvelles applications necessite des photodetecteurs de plus en plus sensibles, afin de pouvoir detecter de tres faibles niveaux de radiation, voire de pouvoir compter des photons un par un.;Apres avoir discute de l'influence de la reduction des dimensions sur les proprietes electroniques et optiques du silicium, ainsi que de l'utilisation du blocage de Coulomb pour la photodetection, nous presentons un procede de fabrication et d'isolation de nanopiliers contenant des nanocristaux de silicium dans une matrice d'oxyde de silicium. Les caracteristiques electriques des nanopixels integrant ces nanocristaux ont permis de mettre en evidence les phenomenes de piegeage de charges dans les ilots, ainsi que leur contribution aux mecanismes de transport. Nous presentons finalement une premiere etude des proprietes electro-optiques des nanopixels qui ont ete caracterises par des mesures de photocourant.;Mots-cles: photodetection, blocage de Coulomb, nanocristaux de silicium, nanofabrication, SU-8, cathodoluminescence, capacite MOS, transport electrique, photocourant;Ce travail de these s'interesse aux moyens de realisation de nanopixels pour la detection de faibles niveaux de lumiere visible, en utilisant l'absorption dans des nanocristaux de silicium.