磁流变平面抛光晶圆表面划痕损伤形成机制与抑制方法研究

目录

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致谢

1 绪论

1.1 研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.2.1 磁流变抛光过程材料去除分析

1.2.2 半导体晶圆加工损伤特征研究

1.2.3 划痕形成过程仿真模拟研究

1.3 存在的主要问题

1.4 论文研究内容及组织结构

2 晶圆表面划痕损伤形成过程模拟

2.1 晶圆表面划痕损伤的表征

2.2 基于分子动力学方法的划痕损伤仿真建模

2.2.1 分子动力学仿真理论基础

2.2.2 晶圆表面划擦过程建模

2.2.3 分子动力学相关参数设置

2.2.4 划痕损伤形成过程模拟

2.3 材料划擦过程中划痕损伤特征研究

2.3.1 载荷的影响

2.3.2 团聚颗粒形状尺寸的影响

2.3.3 划擦速度的影响

2.3.4 各向异性特征的影响

2.4 纳米划痕实验

2.4.1 纳米划痕实验方法及设备

2.4.2 纳米划痕实验结果

2.5 本章小结

3 磁流变平面抛光晶圆表面划痕损伤形貌

3.1 晶圆表面划痕损伤表征关系

3.2 晶圆表面划痕损伤轨迹建模

3.3 工艺参数对划痕损伤特征的影响

3.3.1 晶圆转速的影响

3.3.2 抛光盘转速的影响

3.3.3 磁场转速的影响

3.3.4 磁场偏心距的影响

3.4 本章小结

4 晶圆表面划痕损伤抑制方法及实验研究

4.1 划痕损伤抑制方法研究

4.1.1 正交实验设计

4.1.2 正交实验结果

4.1.3 划痕损伤抑制方法

4.2 磁流变平面抛光实验

4.2.1 实验装置

4.2.2 实验方法及结果

4.3 本章小结

5 总结与展望

5.1 全文总结

5.2 工作展望

参考文献

作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果

独创性声明

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