硒化法制备Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜的研究

目录

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致谢

1 绪论

1.1 研究背景与意义

1.2 p-n结光电转换原理

1.3 太阳能电池主要参数

1.4 CZTS(e)的缺陷类型及各元素间的比例调控

1.5 CZTS(e)半导体薄膜的制备方法

1.6 CZTS(e)太阳能电池结构中其他部分研究进展

1.6.1 CZTS(e)太阳能电池背电极的选择及改善

1.6.2 Mo与吸收层之间添加阻挡层

1.6.3 缓冲层的制备

1.7 本论文主要研究内容

2 样品的制备与相关特性表征方法

2.1 样品的制备

2.1.1 实验材料

2.1.2 衬底清洗方法

2.2 实验设备

2.3 相关特性的表征方法

2.3.1 薄膜厚度测试方法

2.3.2 物相分析方法

2.3.3 形貌分析方法

2.3.4 成分分析方法

2.3.5 透射吸收特性分析方法

2.3.6 电流密度-电压（J-V）测试方法

2.3.7 光致发光分析

3 硒化法制备CZTSSe薄膜及相关特性表征

3.1 硫化物CZTS前驱体硒化的可行性分析

3.1.1 Cu2S、ZnS及SnS2单组分薄膜的制备及硒化

3.1.2 Cu2S、ZnS及SnS2单组分薄膜硒化后表征分析

3.2 CZTS薄膜前驱体的制备及相关性能表征

3.2.1 CZTS薄膜前驱体的制备

3.2.2 CZTS薄膜前驱体的表征

3.3 硒化退火制备CZTSSe薄膜及表征

3.4 本章小结

4 CZTSSe薄膜的制备工艺优化

4.1 硒化退火温度对CZTSSe薄膜质量的影响

4.2 溅射过程硫气氛补充对CZTSSe薄膜质量的影响

4.3 硒化退火时间对CZTSSe薄膜质量的影响

4.4 本章小结

5 CZTSSe光伏器件的制备

5.1 Mo背电极的制备

5.2 CdS缓冲层的制备

5.3 i-ZnO/ITO窗口层的制备

5.4 Al栅电极的制备

5.5 CZTSSe太阳能电池的表征

5.6 本章小结

6 结论与展望

参考文献

作者简历及攻读硕士/博士学位期间取得的研究成果

独创性声明

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