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摘要
第一章 绪论
1.1 正电子研究简史
1.2 正电子在固体材料中行为简介
1.2.1 正电子超热化过程
1.2.2 正电子热化过程
1.2.3 正电子扩散过程
1.2.4 正电子捕获过程
1.2.5 正电子湮没过程
1.3 正电子三种基本实验技术
1.3.1 正电子放射源
1.3.2 正电子寿命实验技术
1.3.3 正电子多普勒实验技术
1.3.4 正电子慢束实验技术
1.4 本章小结
参考文献
第二章 正电子超热化与热化动力学过程计算
2.1 价电子平均束缚能
2.1.1 Al价电子平均束缚能
2.1.2 Si价电子平均束缚能
2.1.3 Fe价电子平均束缚能
2.1.4 Cu价电子平均束缚能
2.1.5 C5H8O2以VO2价电子平均束缚能
2.2 正电子超热化过程
2.2.1 弹性散射
2.2.2 非弹性散射
2.2.3 正电子注入轮廓与注入深度
2.2.4 铝和硅单晶中正电子超热化模拟结果
2.3 正电子热化过程
2.3.1 正电子热化理论
2.3.2 单晶铝与硅热化过程计算结果
2.4 本章小结
参考文献
第三章 正电子能带与寿命计算
3.1 正电子能带计算
3.1.1 正电子能带计算理论基础
3.1.2 单晶Si与AIN中的正电子能带
3.2 正电子寿命计算
3.2.1 正电子寿命计算理论基础
3.2.2 正电子寿命理论与实验结果
3.3 本章小结
参考文献
第四章 正电子角关联计算
4.1 正电子多普勒展宽谱理论框架
4.2 正电子与电子波函数计算
4.2.1 正电子波函数
4.2.2 电子波函数
4.3 铝和硅中正电子湮没多普勒展宽谱
4.3.1 单晶Al多普勒展宽谱计算结果
4.3.2 单晶Si多普勒展宽理论与实验结果
4.4 本章小结
参考文献
第五章 电荷态缺陷形成能计算
5.1 晶体缺陷简介
5.2 缺陷形成能理论基础
5.2.1 超胞和特殊k点的选取
5.2.2 带隙修正与虚电荷修正
5.3 硅和氮化铝中的计算结果
5.3.1 Si单空位缺陷形成能理论与实验结果
5.3.2 AIN电荷态缺陷形成能计算结果
5.4 本章小结
参考文献
第六章 总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
附录Ⅰ:文章中计算所用的常数
附录Ⅱ:直角坐标系与球坐标系基本物理量转换关系
致谢
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