基于p-GaN栅的常关型功率器件的研究

目录

声明

第1章 绪论

1.1 研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.3 本文主要内容及安排

第2章 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理

2.1 极化效应与二维电子气

2.2 AlGaN/GaN HEMT器件结构

2.3 增强型AlGaN/GaN HEMT器件

2.4 AlGaN/GaN HEMT器件耐压机理

2.5 本章小结

第3章 InAlN/GaN HEMT器件设计

3.1 InAlN/GaN HEMT器件简介

3.2 器件仿真工具

3.3 器件模型参数

3.4 p-GaN栅极HEMT器件结构设计

3.5 钝化层对两种器件击穿特性的影响

3.6 本章小结

第4章 垂直型GaN基功率器件结构设计

4.1垂直型GaN基功率器件的基本结构

4.2 超结垂直型GaN基功率器件

4.3 梯度掺杂超结垂直型GaN功率器件

4.4 工艺可行性

4.5 本章小结

第5章 总结与展望

5.1 总结

5.2 展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果