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3．4．1实验证明导电通道类型
3．4．2 UPS测试分析器件能带结构
第4章改变电极材料优化器件结构和性能
吴彦宏;
华北电力大学华北电力大学(北京);
机译：Al / MnO 2 / SS薄膜金属-绝缘体-金属器件中的丝状和均质电阻开关与忆阻和忆阻记忆效应共存
机译：金属有机化学气相沉积法使用液相前驱体制备银薄膜，并通过硒气相沉积法将其转化为硒化银薄膜
机译：基于忆阻和忆阻特性的二参数多状态存储器件
机译：显示忆阻行为的薄膜器件的忆阻和忆阻建模
机译：使用忆阻突触和纳米晶体硅薄膜晶体管的人工神经系统
机译：具有不同氧密度双层的非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性
机译：具有忆阻行为的薄膜器件的忆阻和瞬态电容建模
机译：薄膜氧化亚铜的忆阻特性
机译：基本上无水，纯净的低溶解度聚合物光阻组合物的液相制备方法及低液相度聚合物的液相制备方法
机译：忆阻性神经形态电路和训练忆阻性神经形态电路的方法
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