基于多物理场模型的IGBT键合线失效分析与状态监测方法研究

目录

声明

第1章 绪 论

1.1 课题研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.2.1研究方法现状

1.2.2 键合线研究现状

1.3 论文的主要研究内容及各章节安排

第2章 IGBT失效机理分析与多物理场建模

2.1 IGBT结构与工作原理

2.2 IGBT失效形式

2.2.1芯片级失效

2.2.2封装级失效

2.3 IGBT多物理场分析

2.3.1 电场分析

2.3.2 温度场分析

2.3.3 应力场分析

2.3.4 多物理场耦合分析

2.4 IGBT单芯片多物理场模型建立与验证

2.4.1 仿真软件简介

2.4.2 多物理场模型搭建

2.4.3 多物理场模型验证

2.5 本章小结

第3章 基于材料选型与搭配的IGBT键合线失效分析

3.1 键合线失效机理验证

3.2 键合线材料对IGBT模块键合线失效的影响

3.3 正面金属化层材料对IGBT模块键合线失效影响

3.4 材料搭配对IGBT模块键合线失效的影响

3.5 本章小结

第4章 基于温度梯度的IGBT键合线状态监测方法

4.1 IGBT多芯片电热耦合模型的搭建

4.2 键合线脱落对IGBT运行温度的影响

4.2.1 键合线脱落根数的影响

4.2.2 键合线脱落位置的影响

4.3 基于温度梯度的IGBT键合线状态监测方法

4.3.1 温度梯度分析原理

4.3.2 键合线脱落对IGBT温度梯度的影响

4.4.3 键合线状态监测的区间设定

4.4 本章总结

总结与展望

参考文献

附录A 攻读学位期间获得的研究成果

致谢