三维分支结构GaN纳米线的制备及场发射性能研究

目录

声明

1.1 引言

1.2.1 纳米材料的概念

1.2.2 纳米材料的性质

1.3 纳米材料的制备方法

1.4 GaN纳米材料

1.5 场发射概述

1.6.1 物理性质

1.6.2 化学性质

1.6.3 光学性质

1.7 GaN材料的研究进展

1.8.1 选题依据

1.8.2 研究内容

2.1 引言

2.2 制备方法及生长机理

2.2.1 化学气相沉积法（CVD）

2.2.2 气-液-固生长机制（V-L-S）

2.3 实验药品

2.4 实验仪器

2.5 Si衬底处理

2.6催化剂制备

2.7 实验过程

2.8 表征仪器

2.8.1 扫描电子显微镜

2.8.2 X射线衍射仪

2.8.3 透射电子显微镜

2.9 温度对制备三维分支结构GaN纳米线的影响

2.10 氨化时间对制备三维分支结构GaN纳米线的影响

2.11 本章小结

3 三维分支结构GaN纳米线表征

3.1 三维分支结构GaN纳米线的制备机理

3.2 三维分支结构GaN纳米线XRD表征

3.3 三维分支结构GaN纳米线TEM表征

3.4 三维分支结构GaN纳米线EDS表征

3.5 三维分支结构GaN纳米线场发射性能测试

3.6 本章小结

4.1 本文结论

4.2未来工作展望

致谢

参考文献

附录一

附录二