InAs、InP半导体纳米线非线性光学吸收及载流子超快弛豫特性研究

目录

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摘要

第一章绪论

1．1短脉冲及超短脉冲激光技术

1．1．1被动调Q技术

1．1．2被动锁模技术

1．1．3可饱和吸收体

1．2半导体纳米线

1．2．1Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备

1．2．2砷化铟(InAs)纳米线研究进展

1．2．3磷化铟(InP)纳米线研究进展

1．3本章小结

第二章Z扫描和泵浦探测技术

2．1三阶非线性光学理论基础

2．1．1非线性光学吸收

2．1．2非线性折射率

2．2 Z扫描技术

2．2．2闭孔Z扫描

2．2．3开孔Z扫描

2．2．4 Z扫描数值分析

2．3载流子超快动力学过程

2．4泵浦探测技术

2．4．1泵浦探测技术简介

2．4．2泵浦探测数值分析

2．5本章小结

第三章InAs和InP纳米线非线性光学吸收特性研究

3．1 InAs纳米线非线性光学吸收特性

3．1．1 InAs纳米线的制备与表征

3．1．2 InAs纳米线非线性光学吸收特性

3．2 InP纳米线三阶非线性光学吸收特性

3．2．1 InP纳米线的制备与表征

3．2．2 InP纳米线非线性吸收特性

3．3本章小结

第四章InAs和InP纳米线载流子超快动力学研究

4．1泵浦探测装置

4．2 InAs纳米线载流子超快弛豫特性

4．3 InP半导体纳米线载流子超快弛豫特性

4．4本章小结

第五章InAs和InP纳米线在固体脉冲激光器中的应用

5．1基于低维材料可饱和吸收体的固体脉冲激光器设计

5．1．1低维材料可饱和吸收体被动调Q激光器设计

5．1．2低维材料可饱和吸收体被动锁模激光器设计

5．2 InAs纳米线在脉冲固体激光器中的应用

5．2．1基于InAs纳米线的宽波段被动调Q激光特性

5．2．2基于InAs纳米线1．0 μm被动锁模激光特性

5．3 InP纳米线在脉冲固体激光器中的应用

5．3．2基于InP纳米线1．04μm被动锁模激光特性

5．4本章小结

第六章总结

6．2有待深入研究的问题

参考文献

致谢

攻读学位期间参加的项目获得的奖励及发表的论文

附发表论文两篇