大功率医用SiC变温氧化模型及其MOS电容的电学特性

目录

声明

1 绪论

1.1 医用SiC MOSFET应用

1.2 SiC氧化工艺国内外研究状况

1.3 研究思想及内容

2 医用SiC热氧化生长动力学建模

2.1 医用SiC氧化理论模型及近界面缺陷形成机理

2.1.1 SiC氧化理论模型

2.1.2 SiC/SiO2界面的界面缺陷及生成机制

2.2 氧化温度对SiO2膜厚度的影响

2.3 氧化气氛压强对SiO2氧化生长的影响

3 医用SiC变温氧化新工艺

3.1医用SiC变温氧化理论模型

3.2 SiC变温氧化实验

4 变温氧化工艺制备SiC MOS结构的电学特性

4.1 SiC MOS结构电流-电压特性

4.2 变温氧化工艺制备SiC MOS结构的电容-电压特性及界面特性

4.3 SiC MOS电容电压稳定性

5 结论

参考文献

致谢