声明
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 钙钛矿的晶体结构和光电性质
1.2.1 立方相钙钛矿的晶体结构和性质
1.2.2 正交结构和四方结构钙钛矿介绍
1.2.3 类钙钛矿晶体的结构和性质
1.3 钙钛矿材料的光物理性质
1.3.1 激子概述
1.3.2半导体的光吸收和光发射
1.3.3半导体中的量子限制效应
1.3.4 斯托克斯移动
1.3.5 晶格弛豫及Frank-Condon原理
1.4 钙钛矿半导体的维度分类
1.4.1零维钙钛矿纳米材料
1.4.2 一维钙钛矿纳米材料
1.4.3 二维钙钛矿纳米材料
1.5 钙钛矿半导体复合材料及性质
1.5.1 半导体复合纳米材料概述
1.5.2 钙钛矿纳米晶体复合材料的结构
1.5.3钙钛矿纳米晶体复合材料的光电性质
1.6 钙钛矿半导体纳米晶体的制备方法
1.6.1热注入法
1.6.2 阴离子交换法
1.6.3 反溶剂法
1.6.4 溶剂热法
1.7 钙钛矿纳米材料的表征手段
1.7.1 光谱性质表征
1.7.2 结构形貌性质表征
1.8 选题的意义及研究内容
1.8.1 选题的意义
1.8.2 本论文研究内容
参考文献
第二章 Cs/CsPbX3 (X = Cl, Br)异质纳米晶体界面性质的研究
2.1 引言
2.2 实验部分
2.2.1 钙钛矿及其异质纳米晶体的制备
2.2.2 钙钛矿及其复合纳米晶体的分离纯化
2.2.3 实验表征方法
2.3 实验结果与讨论
2.3.1 钙钛矿及其异质纳米晶体的透射电镜分析
2.3.2 模型建立与分析
2.4小结
参考文献
第三章 宽带隙半导体Cs4PbCl6纳米晶体近紫外发光研究
3.1 引言
3.2 实验制备与理论计算方法
3.2.1 Cs4PbCl6纳米晶体的制备和纯化
3.2.2 实验表征方法
3.2.3 VASP计算Cs4PbCl6 的电子结构
3.3 实验结果与讨论
3.3.1 Cs4PbCl6纳米晶体的结构分析
3.3.2 Cs4PbCl6纳米晶体的光学性质分析
3.3.3 晶格弛豫模型及理论计算分析
3.4 小结
参考文献
第四章 三方晶系无机卤化物钙钛矿量子点的量子限制效应
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 不同尺寸形貌的Cs4PbBr6纳米晶体的制备及纯化
4.2.2 样品表征手段
4.3 实验结果与讨论
4.3.1 Cs4PbBr6纳米晶体的形貌结构分析
4.3.2 Cs4PbBr6纳米晶体的光学性质研究
4.3.3 理论计算及分析
4.4 小结
参考文献
第五章 全文总结与展望
5.1 全文总结
5.2 展望
发表论文
致谢
东南大学;
