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具有高K介质和多数载流子积累新型UMOS特性分析

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第一章绪论

1.1功率半导体器件的发展

1.2论文研究背景与意义

1.3本文主要内容

第二章纵向功率MOS器件与器件仿真工具

2.1 VDMOS器件

2.2超结VDMOS器件

2.3高K介质

2.4器件仿真工具与仿真方法简介

2.5本章小结

第三章具有多数载流子积累新型UMOS设计

3.1 MCA-UMOS器件结构与工作机理

3.2 MCA-UMOS参数优化

3.3 MCA-UMOS制备工艺

3.4本章小结

第四章具有高K介质多数载流子积累新型UMOS

4.1 HK MCA-UMOS器件结构与工作机理

4.2 HK MCA-UMOS参数优化

4.3高K介质的有关工艺

4.4本章小结

第五章结论

5.1工作总结

5.2研究展望

参考文献

致谢

作者简介

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著录项

  • 作者

    张琛;

  • 作者单位

    西安电子科技大学;

  • 授予单位 西安电子科技大学;
  • 学科 电子科学与技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 段宝兴;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 半导体技术;
  • 关键词

    介质; 多数载流子;

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