第一章 绪 论
1.1铁电性与铁电材料
1.1.1铁电体及其发展
1.1.2钙钛矿型铁电体
1.1.3铁电性的重要特征
1.2铁电性在存储领域的应用
1.2.1传统存储器
1.2.2铁电材料在存储器中的应用
1.3铁电隧道结概述
1.3.1纳米尺度下的铁电性
1.3.2铁电隧道结原理及发展
第二章 薄膜制备、表征及相关实验方法
2.1 薄膜的主要制备方法
2.1.1磁控溅射(Magnetron Sputtering）
2.1.2脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition）
2.2 薄膜分析方法
2.2.1 X射线测试技术
2.2.2原子力显微镜(Atomic Force Microscope)
2.2.3压电力显微镜(Piezoresponse Force Microscope)
2.3 固相烧结法
第三章 PLD生长工艺探索
3.1 薄膜样品生长
3.1.1 LaNiO3薄膜生长工艺
3.1.2 SrRuO3薄膜生长工艺
3.1.3 BaTiO3铁电隧道结生长工艺
3.2 隧道结X射线测试结果
3.2.1 X射线反射(XRR)膜厚测量
3.2.2 XRD物相表征
3.3 TEM界面微结构表征
第四章 BaTiO3铁电隧道结的铁电性及隧穿电致阻变效应
4.1 铁电超薄膜PFM表征
4.1.1 隧道结铁电层畴结构
4.1.2 铁电超薄膜的铁电保持特性
4.1.3 极化翻转与阻变效应的联系
4.2 BaTiO3隧道结的电致阻变效应
4.2.1 理论模型
4.2.2 不同厚度隧道结电学性能测试及拟合
4.2.3 J-V曲线拟合及输运分析
4.3 BaTiO3隧道结的保持及翻转性能改善
4.3.1 界面调控
4.3.2 内建电势调控
第五章 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
参考文献
攻读硕士学位期间的研究成果
致谢
