声明
第一章 绪论
第二章文献综述
2.1 硅基光电子学的背景与意义
2.2 硅基光源的研究进展
2.2.1 多孔硅发光
2.2.2 纳米硅的发光
2.2.3 硅中缺陷发光
2.2.4 位错环增强硅pn结发光
2.2.5 锗能带调控
2.2.6 硅基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体混合激光器
2.2.7 硅拉曼激光器
2.2.8 铒掺杂硅基发光材料
2.3 存在的主要问题
第三章 样品的制备与表征
3.1 材料制备设备
3.1.1 电子束蒸发
3.1.2 射频溅射
3.1.3 热处理设备
3.2 材料表征方法
3.2.1 卢瑟福背散射
3.2.2 X射线多晶衍射仪
3.2.3 拉曼光谱
3.2.4 稳态/瞬态荧光光谱
3.2.5 透射电子显微镜
第四章 硅酸铒薄膜的制备及结构分析
4.1 引言
4.2 实验
4.2.1 样品制备
4.2.2 样品表征
4.3 实验结果与讨论
4.3.1 无富硅硅酸铒薄膜
4.3.2 富硅硅酸铒薄膜
4.4 本章小结
第五章 硅酸铒的晶型转变
5.1 引言
5.2 实验
5.2.1 样品制备
5.2.2 样品表征
5.3 实验结果与讨论
5.3.1 热处理温度的影响
5.3.2 薄膜成分的影响
5.3.3 热处理气氛的影响
5.3.4 硅酸铒不同晶型的晶体结构
5.4 本章小结
第六章 硅酸铒不同晶型的发光性能
6.1 引言
6.2 实验
6.2.1 样品制备
6.2.2 样品表征
6.3 实验结果与讨论
6.3.1 硅酸铒的拉曼光谱
6.3.2 硅酸铒的发光性能
6.4 本章小结
第七章 硅酸铒的敏化发光
7.1 引言
7.2 实验
7.2.1 样品制备
7.2.2 样品表征
7.3 实验结果与讨论
7.3.1 硅酸铒的敏化发光
7.3.2 热处理工艺对硅酸铒敏化发光的影响
7.4 本章小结
第八章 总结
8.1 结论
8.2 展望
参考文献
致谢
个人简历
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果
