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基于单根CdS纳米带光电探测器光谱选择性响应和记忆特性的温度/偏压调控研究

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第1章 引言

1.1 前言

1.2 肖特基接触

1.2.1 肖特基势垒模型

1.2.2 载流子传输机制

1.3 欧姆接触

1.3.1 理想的非整流欧姆接触

1.3.2 隧道效应实现欧姆接触

1.4 自供能传感系统

1.5 研究内容和研究目标

第2章 一维微纳米CdS的制备和表征

2.1 引言

2.2 实验过程

2.2.1 实验原料、仪器和设备

2.2.2 实验流程

2.2.3 CdS微纳米线制备

2.2.4 样品的表征

2.3 样品的XRD、SEM、TEM和EDS分析

2.4本章小结

第3章 光照/偏压调制基于单根CdS器件的电学特性

3.1 引言

3.2 实验过程

3.2.1 实验原料、仪器和设备

3.2.2 M-S-M双端器件的构筑

3.3 实验结果与讨论

3.3.1 外加偏压对器件电学性能的调控

3.3.2 光照对器件电学性能的调控

3.4 本章小结

第4章 温度/偏压调制器件的光谱选择性响应和记忆效应

4.1 引言

4.2 实验过程

4.2.1 实验材料、仪器和设备

4.2.2 实验流程

4.3 实验结果

4.3.1 不同温度下器件的I-V曲线

4.3.2 温度调控光谱响应和记忆效应

4.3.3 温度调节界面势垒控制器件的电学性能

4.4 机理解释

4.5本章小结

第5章 热处理调控器件表/界面态

5.1 引言

5.2 实验过程

5.2.1 实验原料、仪器和设备

5.2.2 器件的热处理过程

5.3 实验结果

5.3.1 器件整体热处理改善表/界面态

5.3.2 一端热处理改善表/界面态,调控器件性能

5.4 本章小结

第6章 结论

致谢

参考文献

攻读学位期间的研究成果

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