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文西兴;
华中科技大学;
半导体薄膜; 硅量子点; 界面能带; 电荷存储;
机译:通过金属有机化学气相沉积技术生长的InAs量子点在存储电荷以存储应用中的尺寸效应
机译:伪拟自组装量子点在Ga(Sb,P)/ GaP异质结构中I型和II型能带对准的共存吗?
机译:ZnO / SiC异质结处的能带偏移:能带排列中的异质界面
机译:能带弯曲和能带偏移在少数载流子跨a-Si / c-Si异质结太阳能电池的有序/无序界面传输中的影响
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:具有可调能带排列和界面电荷转移行为的二维垂直异质结构的直接气相生长
机译:界面在异质结构中的作用:应力对锰和硅的影响,用于量子计算。界面在异质结构中的作用:应变锰矿和硅用于量子计算
机译:利用电容电压技术确定界面态存在下的异质结能带不连续性
机译:电荷存储层中具有硅碳氮化物界面层的三维存储器及其制造方法
机译:具有异质能带隙量子阱层的波导荧光器件及其制造方法
机译:增加结晶氧化铝层的能带隙的方法和包括具有高能带隙的结晶氧化铝层的电荷陷阱存储器件的制造方法
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