摘要
Abstract
引言
第一章 绪论
第一节 湿法处理应用综述
第二节 先进集成电路制程对湿法处理工艺的要求
第三节 “双栅氧”(Dual gate oxide)工艺的应用
1.3.1 双栅氧工艺的常规实现方法
1.3.2 双栅氧工艺流程的其他实现方法
第四节 本文的主要研究内容
第五节 本章小结
第二章 湿法处理在超大规模集成电路生产中的应用
第一节 FEOL湿法处理工艺原理
2.1.1 SC-1(Standard clean-1)过程
2.1.2 SC-2(Standard clean-2)过程
2.1.3 SPM(Sulfuric peroxide mixture)过程
2.1.4 D-HF(Dilute HF)过程
2.1.5 BOE(buffered oxide etch)过程
2.1.6 前段工艺中常见的湿法处理过程
第二节 湿法处理后的冲洗和干燥
第三节 湿法处理工艺面临的挑战
第四节 本章小结
第三章 双栅氧氧化中湿法工艺优化探究
第一节 双栅氧氧化前清洗和刻蚀流程的工艺目的
3.1.1 双栅氧湿法刻蚀过程(Dual gate wet etch)
3.1.2 双栅氧刻蚀后湿法去除光阻过程
3.1.3 二次氧化前表面清洗过程
第二节 双栅氧氧化前清洗和刻蚀工艺控制方法探究
3.2.1 DHF和BOE过程刻蚀速率控制优化
3.2.2 BOE处理后表面微粗糙度控制优化
3.2.3 SPM过程中氧化反应工艺控制优化
3.2.4 SPM和RCA清洗过程工艺控制优化
第三节 双栅氧氧化MOS器件性能评估方法
第四节 本章小结
第四章 双栅氧氧化工艺控制的应用探究
第一节 栅氧电性厚度控制的优化
第二节 栅氧击穿电压Qbd的优化
第三节 栅氧氧化层针孔(pin hole)缺陷的防止
第四节 本章小结
第五章 结论
第一节 论文总结
第二节 多栅工艺技术展望
参考文献
致谢
