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第一章 绪论
1.1 引言
1.2 金属氧化物概述
1.2.1 金属氧化物的分类
1.2.2 金属半导体氧化物光催化技术的缺陷
1.2.3 解决方法
1.2.4 机理
1.3 纳米技术概述
1.3.1 人类对客观世界认识的发展过程
1.3.2 纳米技术的基本概念
1.3.3 纳米材料分类
1.3.4 纳米材料特性
1.4 金属氧化物半导体纳米材料
1.4.1 纳米半导体材料的定义
1.4.2 金属氧化物半导体纳米材料光催化原理
1.4.3 金属氧化物半导体纳米材料
1.5 小结
第二章 金属氧化物半导体纳米材料及其光催化性能研究进展
2.1 引言
2.2 光催化氧化技术的发展状况
2.3 金属氧化物半导体光催化材料的制备
2.4 影响金属氧化物半导体光催化材料光催化性能的因素
2.4.1 粒子尺寸的影响
2.4.2 晶型的影响
2.4.3 反应温度的影响
2.4..4 pH值的影响
2.4.5 缺陷的影响
2.4.6 其他因素的影响
2.5 金属氧化物半导体光催化材料的缺陷
2.6 催化剂表面的修饰技术
2.6.1 表面光敏化
2.6.2 金属离子掺杂
2.6.3 贵金属沉积
2.6.4 半导体复合
2.7 复合金属氧化物半导体纳米材料光催化技术
2.8 金属氧化物纳米半导体材料光催化性的应用
2.8.1 半导体光催化技术在环境净化方面的应用
2.8.2 半导体光催化技术在医学方面的应用
2.8.3 半导体光催化技术在农业方面的应用
2.8.4 半导体光催化技术在其他方面的应用
2.9 小结
结论
参考文献
致谢