声明
摘要
第一章 绪论
第二章 文献综述
2.1 硅基光电子学的提出与意义
2.1.1 微电子工业与摩尔定律
2.1.2 硅基光电子学
2.2 硅基光源的研究进展
2.2.1 晶体硅的光学性质
2.2.2 硅基发光的主要研究方向
2.3 硅pn结发光二极管在近红外波段电致发光的研究进展
2.3.1 硅pn结发光二极管的带边电致发光研究
2.3.2 硅pn结发光二极管在近红外其他波段的电致发光研究
2.4 本论文研究的目的与意义
第三章 材料制备与测试设备
3.1 样品制备工艺及设备
3.1.1 硼源配制
3.1.2 硅衬底片清洗
3.1.3 旋涂工艺及设备
3.1.4 扩散工艺及设备
3.1.5 电极制备工艺及设备
3.2 样品测试表征及设备
3.2.1 高分辨率透射电镜
3.2.2 电学性能表征
3.2.3 光学性能表征
3.2.4 时域有限差分(FDTD)模拟计算
第四章 快速热处理扩硼制备硅pn结二极管的室温近红外电致发光性能
4.1 引言
4.2 实验过程
4.3 实验结果与讨论
4.3.1 器件的结深与载流子浓度分布
4.3.2 器件的I-V特性
4.3.3 扩硼硅pn结室温近红外电致发光性能
4.3.4 扩硼硅pn结室温电致发光谱中0.78eV发光峰的来源分析
4.4 本章小结
第五章 管式炉扩硼制备硅pn结二极管的室温近红外电致发光性能
5.1 引言
5.2 实验
5.3 实验结果与讨论
5.3.1 器件的结深与载流子分布情况
5.3.2 器件的I-V特性
5.3.3 管式炉扩硼硅pn结二极管的室温近红外电致发光性能
5.3.4 管式炉扩散制备含位错的硅pn结二极管的发光性能
5.4 本章小结
第六章 表面织构增强硅pn结二极管发光的研究
6.1 引言
6.2 实验
6.2.1 制绒
6.2.2 硅pn结发光二极管制备
6.3 实验结果与讨论
6.3.1 表面织构增强硅pn结二极管发光的理论分析与模拟计算
6.3.1 不同制绒时间绒面SEM图片
6.3.3 不同尺寸金字塔绒面硅pn结二极管的发光性能
6.4 本章小结
第七章 全文总结
参考文献
致谢
个人简介
攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他研究成果
浙江大学;