封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
第一章 绪 论
1.1 碳化硅材料的物理特性简介
1.2 碳化硅DMOS器件发展概况
1.3 本论文主要工作
第二章 碳化硅器件物理模型和仿真基础
2.1 器件理论基础
2.2 仿真平台介绍
2.3 本章小结
第三章 1700V 4H-SiC DMOS晶体管结构设计
3.1 1700V 4H-SiC DMOS元胞设计
3.2 1700V 4H-SiC DMOS结终端设计
3.3 栅氧化层可靠性研究
3.4 本章总结
第四章 1700V 4H-SiC DMOS晶体管实验及测试分析
4.1 4H-SiC MOS电容实验分析
4.2 版图设计
4.3 实验测试分析
4.4 本章小结
第五章 结 论
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果