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绪论
第一章实验设备和实验方法
第二章FexCu1-x在GaAs(001)表面外延生长的结构
第三章在GaAs(001)表面外延生长的FexCu1-x合金薄膜的磁性研究
第四章对单轴各向异性来源的探索
第五章主要结论
附录1:硕士期间发表论文
附录2:发表文章
致谢
论文独创性声明及论文使用授权声明
田真;
复旦大学;
铁铜合金; 磁性薄膜; 分子束外延; 各向异性;
机译:GaAs(001)外延生长的Co_2MnSi Heusler合金薄膜的磁性和自旋极化
机译:GaAs(001)衬底上生长的外延L2_1结构Co_2(Cr,Fe)Al薄膜的结构和磁性
机译:MgO(001)单晶衬底上形成的外延磁性L1_0有序合金薄膜的结构和磁性
机译:在MgO(001)单晶衬底上形成的外延磁性L1_0有序合金薄膜的结构和磁性能
机译:自组装磁性纳米结构:氮化钛(001)表面上的外延镍。
机译:有限尺寸对MnAs / GaAs(001)图案化微结构薄膜的结构和磁性的影响
机译:Gaas(001)衬底上外延薄Fe和Fept薄膜的结构,磁性和界面特性
机译:Gaas(001)上超薄外延Fe薄膜的磁性
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Nb-GaAs异质外延膜和GaAs-Nb-GaAs双异质外延膜的生产方法无效
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