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第一章引言
§1.1多层膜的巨磁电阻效应
§1.1.1自旋阀结构中的巨磁电阻(GMR)效应
§1.1.2磁性隧道结的隧道巨磁电阻(TMR)效应
§1.2巨磁电阻型随机存储器
§1.3巨磁电阻效应和MRAM的信息读取机理
§1.4传统的MRAM的信息写入机理
§1.5自旋转移矩效应和电流直接驱动磁化翻转(CIMS)的写入方案
§1.6小结
第二章微磁学和数值模拟方法
§2.1铁磁材料的微磁学基础
§2.1.1铁磁材料内相互作用能
§2.1.2能量最小化Brown静态方程
§2.1.3 Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)动力学方程
§2.2数值求解微磁学方程方法
§2.2.1数值求解铁磁体内相互作用能
§2.2.2能量最小化静态计算方法
§2.2.3 LLG动力学方程的数值求解方法
第三章磁性隧道结中电流诱导的磁化翻转
§3.1磁性隧道结中的自旋转移矩效应理论
§3.2微磁模型
§3.3结果与讨论
§3.3.1 CIMS的动力学过程
§3.3.2 CIMS的临界翻转电流
§3.3.3阻尼因子对磁化翻转的影响
§3.4小结
第四章纳米通道非均匀电流效应降低翻转电流研究
§4.1降低翻转电流的研究动机
§4.2低电阻隧道结中的hotspot效应
§4.3纳米通道非均匀电流模型
§4.4纳米通道非均匀电流效应对临界电流的影响
§4.5纳米通道尺度对磁化翻转的影响
§4.6纳米通道位置的影响
§4.7电流导致的热效应
§4.8小结
第五章总结与展望
参考文献
硕士期间已发表论文
致谢