摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 微波传输及吸收理论
1.2.1 麦克斯韦方程组
1.2.2 媒质中的场
1.2.3 波方程和基本平面波的解
1.2.4 电磁波的能量和功率
1.2.5 媒质分界面上平面波的反射
1.3 RTP退火情况下Ni Si1-xGex的研究
1.3.1 Ni与单晶Si1-xGex经RTP退火后的表征
1.3.2 NiSi1-xGex与Si1-uGeu的反应和稳定性讨论
第二章 微波退火及相关测试设备简介
2.1 微波退火设备
2.1.1 反应腔与预处理腔
2.1.2 红外测温的不足
2.2 实验所用到的测试设备
2.2.1 四探针测量薄膜方块电阻
2.2.2 拉曼光谱
2.2.3 X射线衍射
2.2.4 透射电子显微镜
2.2.5 X射线散射能谱仪
第三章 Ni/epi-Si0.81Ge0.19材料经MWA和RTP退火后的表征与对比
3.1 Ni/epi-Si0.81Ge0.19材料的生长
3.1.1 硅片的清洗
3.1.2 Si0.81Ge0.19层及Ni薄膜的生长
3.2 样品的退火处理
3.3 有10nm镍的样品的退火结果表征
3.4 有20nm镍的样品的退火结果表征
3.5 实验结果总结
第四章 微波退火的理论研究
4.1 薄膜在微波场中的电导损耗
4.1.1 单层薄膜在微波场中产生的电导损耗
4.1.2 双层相邻薄膜在微波场中产生的电导损耗
4.2 薄膜在微波场中的介质损耗
4.3 RTP和MWA的对比
4.4 本章小结
第五章 总结
参考文献
硕士阶段取得的学术成果
致谢
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