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长余辉材料的光书写显示装置和光擦除研究

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1绪论

1.1研究背景和意义

1.2国内外研究进展

1.3长余辉材料分类

1.4长余辉材料的用途

1.5杂质在长余辉发光材料中的作用

1.6长余辉材料的发光模型

1.7本文的研究内容

2.1引言

2.2激光书写显示的原理

2.3第一代激光书写装置实验

2.4第二代书写装置的实验

2.5本章小结

3长余辉材料发光的擦除

3.1引言

3.2激光擦除的理论

3.3 ZnS:Cu的红外猝灭实验研究

3.4 ZnS:Cu光擦除装置与效果

3.5实验分析

3.6本章小结

4.1结论

4.2展望

致谢

参考文献

硕士期间研究成果

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摘要

本文给长余辉材料提出了一种新的应用:在长余辉材料的屏幕上进行光书写和光擦除,可用于书写和显示领域。研制了一台以长余辉材料为屏幕的激光书写显示装置,可以人为控制激光在余辉材料上随意书写中文、英文、画图并显示。该装置利用单片机步进电机控制两组轴镜在不同方向的转动,从自行建立的开源矢量图库中调用相关图片,使405nm激光光束在长余辉材料上进行二维矢量的扫描就完成文字书写和绘图显示。
  针对余辉时间较长的材料特性,利用热释光动力学研究后得到特定长余辉材料的擦除激光波长后,设计并制作了激光书写的擦除装置,得到很好的擦除效果。
  本文从长余辉材料的发光角度研究了用红外光做擦除的理论及实验:根据Chen’s半宽法计算出ZnS:Cu与SrAl2O4:EuDy两种余辉材料的陷阱深度,得到激励该深度的陷阱中被束缚电子的准确红外波长850nm和2342nm。利用光栅光谱仪的溴钨灯红外光谱,测得长余辉材料ZnS:Cu与SrAl2O4:EuDy在红外激励下的磷光衰减曲线。利用数据库资料得到ZnS:Cu与SrAl2O4:EuDy的陷阱深度,计算出猝灭波长数值与光谱仪测得的数值相符,为不同长余辉材料的红外猝灭波长的研究提供实验和理论依据。

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